硅谷——三星电子公司周五展示了一系列新概念的下一代DRAM芯片，包括业界最先进的HBM3E，缓解了市场对它可能在超级巨大的人工智能芯片市场上落后于本土竞争对手SK海力士公司的担忧。
在美国硅谷举行的“三星内存技术日”上，三星电子公开了名为“Shinebolt”的高带宽内存3E (HBM3E)。
它的容量是现有HBM3 DRAM的1.5倍，处理速度提高了50%左右，功率效率提高了10%。
三星已经将样品寄给了英伟达(Nvidia Corp.)和AMD等客户。
两个月前，SK海力士在8月份表示，已开发出HBM3E，并向英伟达提供了样品进行性能评估。三星电子计划在明年上半年(1 ~ 6月)批量生产最新的DRAM芯片，以主导人工智能存储器市场。
HBM3E是HBM3的扩展版，是继HBM、HBM2、HBM2E、HBM3之后的第五代DRAM内存。
它每秒最多可以处理1.2太字节(TB)或1200千兆字节的数据。
HBM垂直交叉 连接多个DRAM芯片，与早期的DRAM产品相比，显著提高了数据处理速度。本文来自作者[admin]投稿，不代表闸琨网络立场，如若转载，请注明出处：https://m.jgogg.com/cskp/202505-186.html
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